回来后材料人编辑就来约稿，天津天津于是成文。
修订（b）InSbNS的AFM图像和相应的高度轮廓。作为一种直接带隙III-V化合物半导体，市2市场InSb具有最小的带隙和最高的电子迁移率，成为中波长红外（MWIR）范围内潜在的检测器材料。
电力（c）钝化的InSbNSIR光电探测器的响应度和检测率。总之，化交该研究证明了InSbNSs具有优异的光电特性，在下一代电子和光电子学中具有广阔的应用前景。易工（d）光电流的上升和衰减时间分别测量为2.27ms和2.03ms。
图三、作方InSbNSIR光电探测器的光电测量和能带图（a）在黑暗中和不同入射光功率下，Vds-Ids曲线。天津天津（e）源漏电压Vds=0.1V的InSbNS器件的传输特性与温度的关系。
修订（e）当设备处于p-区域和n-区域时的能带图。
总之，市2市场这些具有优异光电性能的InSbNSs对开发下一代纳米级光电器件有极大的帮助。董事长王杰明接受广东电视台财经频道专访，电力向国人展示华珀的企业实力和产品的环保性。
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